按溝道材料：結型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導電方式：耗盡型與增強型，結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。 總的來說場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類
所有的MOS都是通過溝道導通而不是PN結導通，溝道等效為電阻，電流是可以雙向流動的。只有IGBT里面的PNP結構不會因為柵極的電壓而改變其晶體管的特性，所以IGBT導通時等效為二極管，二極管是有方向性的
適合射極接GND集電極接負載到VCC的情況。 只要基極電壓高于射極電壓（此處為GND）0.7V，即發射結正偏（VBE為正），NPN型三極管即可開始導通
